IS62WV5128DBLL-45BLI备选型号: AS6C4008A-55BIN

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 访问时间(最大)
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 工作电源电压
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    4Mb, Low Power/Power Saver, Async, 512K x 8, 45ns, 2.3v3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), Leadfree
    表面贴装
    36-TFBGA
    YES
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    36
    2.3V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3V
    0.75mm
    36
    R-PBGA-B36
    3.6V
    2.5/3.3V
    2.3V
    4Mb 512K x 8
    1
    20mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    8
    45ns
    19b
    4 Mb
    0.000007A
    45 ns
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    8mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
    表面贴装
    36-TFBGA
    YES
    36
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    36
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3V
    0.75mm
    36
    -
    3.6V
    -
    2.7V
    4Mb 512K x 8
    1
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    8
    55ns
    19b
    4 Mb
    -
    55 ns
    -
    -
    -
    8mm
    -
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    2012
    yes
    260
    40
    3V
  • 添加型号
集成电路(IC)相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
AS6C4008A-55BIN AS6C4008A-55BIN Alliance Memory, Inc. 存储器 36-TFBGA SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 对比
IS61WV25616BLL-10BLI IS61WV25616BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 48-TFBGA IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA 对比
IS61WV25616BLL-10BLI-TR IS61WV25616BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 48-TFBGA IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA 对比