IS62WV5128DBLL-45BLI备选型号: IS62WV25616BLL-55BLI
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 最高频率
- 4Mb, Low Power/Power Saver, Async, 512K x 8, 45ns, 2.3v3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), Leadfree表面贴装36-TFBGAYES48Volatile-40°C~85°C TATrayDiscontinued3 (168 Hours)362.3V~3.6VBOTTOM13V0.75mm36R-PBGA-B363.6V2.5/3.3V2.3V4Mb 512K x 8120mASRAMParallel3-STATE845ns19b4 Mb0.000007A45 nsCOMMONAsynchronous8b8mm无ROHS3 Compliant---------
- IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA表面贴装48-TFBGA-48Volatile-40°C~85°C TATray活跃2 (1 Year)482.5V~3.6VBOTTOM1-0.75mm48-3.6V-2.5V4Mb 256K x 16115mASRAMParallel3-STATE1655ns18b4 Mb-55 nsCOMMONAsynchronous16b8mm无ROHS3 Compliant8 Weeks表面贴装e1yesTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)260403.3V18MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C4008A-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 36-TFBGA | SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM | 对比 |
| IS61WV25616BLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
| IS61WV25616BLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 |



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