IS64LF12836A-7.5B3LA3备选型号: IS61NLP51236B-200B3LI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 筛选水平
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- SRAM 4Mb 3.3V 7.5ns 128K x 36 Sync SRAM12 Weeks表面贴装165-TBGAYES165Volatile-40°C~125°C TATray活跃3 (168 Hours)1653.135V~3.465VBOTTOM13.3V1mm不合格3.465V2.5/3.33.3V3.135V4.5Mb 128K x 36117MHz7.5nsSRAMParallel128KX363-STATE360.045A4718592 bitAEC-Q100COMMON3.14V15mm1.2mm13mmROHS3 Compliant--
- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA12 Weeks表面贴装165-TBGAYES165Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)1653.135V~3.465VBOTTOM13.3V1mm-3.465V-3.135V18Mb 512K x 36200MHz3nsSRAMParallel512KX36-36-18874368 bit---15mm1.2mm13mmROHS3 Compliant未说明未说明
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61NLP51236B-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | 对比 | |
| IS61NVP51236B-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | 对比 | |
![]() | MT49H32M9BM-33:B | Micron Technology Inc. | 存储器 | 144-TFBGA | DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 32Mx9 1.8V 144-Pin mBGA Tray | 对比 |



哦! 它是空的。