Micron Technology Inc. MT49H32M9BM-33:B
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MT49H32M9BM-33:B
1616-MT49H32M9BM-33:B
存储器
144-TFBGA
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DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 32Mx9 1.8V 144-Pin mBGA Tray
--最小包装量--
MT49H32M9BM-33:B详情
Micron Technology Inc. MT49H32M9BM-33:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
144-TFBGA
引脚数
144
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Bulk
已出版
2015
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
144
附加功能
自动刷新
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
基本部件号
MT49H32M9
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.5/1.81.82.5V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
288Mb 32M x 9
端口的数量
1
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
9b
组织结构
32MX9
输出特性
3-STATE
内存宽度
9
地址总线宽度
24b
密度
288 Mb
最高频率
300MHz
I/O类型
COMMON
顺序突发长度
248
长度
18.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT49H32M9BM-33:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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