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IS64LPS102436B-166B3LA3备选型号: IS61NLP102436B-200B3LI

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  • 电压 - 供电
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  • 记忆密度
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  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 待机电流-最大值
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS64LPS102436B-166B3LA3
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA
    12 Weeks
    表面贴装
    165-TBGA
    YES
    165
    Volatile
    -40°C~125°C TA
    Tray
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    锡银铜
    8542.32.00.41
    3.3V
    BOTTOM
    260
    1
    1mm
    10
    不合格
    2.5/3.33.3V
    36Mb 1M x 36
    166MHz
    3.8ns
    SRAM
    Parallel
    1MX36
    3-STATE
    36
    37748736 bit
    AEC-Q100
    COMMON
    3.14V
    3.465V
    3.135V
    15mm
    1.2mm
    13mm
    ROHS3 Compliant
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61NLP102436B-200B3LI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA
    12 Weeks
    表面贴装
    165-TBGA
    YES
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    -
    8542.32.00.41
    3.3V
    BOTTOM
    -
    1
    1mm
    -
    不合格
    2.5/3.33.3V
    36Mb 1M x 36
    200MHz
    3.1ns
    SRAM
    Parallel
    1MX36
    3-STATE
    36
    37748736 bit
    -
    COMMON
    3.14V
    3.465V
    3.135V
    15mm
    1.2mm
    13mm
    ROHS3 Compliant
    0.12A
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