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IS64LPS102436B-166B3LA3备选型号: IS61NLP51236B-200B3LI
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- 电压 - 供电 （最小值）
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IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA12 Weeks表面贴装165-TBGAYES165Volatile-40°C~125°C TATraye1活跃3 (168 Hours)1653A991.B.2.A锡银铜8542.32.00.413.3VBOTTOM26011mm10不合格2.5/3.33.3V36Mb 1M x 36166MHz3.8nsSRAMParallel1MX363-STATE3637748736 bitAEC-Q100COMMON3.14V3.465V3.135V15mm1.2mm13mmROHS3 Compliant- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA12 Weeks表面贴装165-TBGAYES165Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)165---3.3VBOTTOM未说明11mm未说明--18Mb 512K x 36200MHz3nsSRAMParallel512KX36-3618874368 bit---3.465V3.135V15mm1.2mm13mmROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT49H16M36BM-33:B | Micron Technology Inc. | 存储器 | 144-TFBGA | DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 16Mx36 1.8V 144-Pin mBGA Tray | 对比 |
| IS61NLP51236B-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | 对比 |
| IS61NLP102436B-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA | 对比 |
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