IS64WV12816DBLL-12BLA3备选型号: IS62WV12816BLL-55B2LI
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- 端子表面处理
- 电压 - 供电
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- 功能数量
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- RoHS状态
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- 辐射硬化
- SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-bit 128K x 16 12ns Automotive 48-Pin Mini-BGA10 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile-40°C~125°C TATraye1yes活跃3 (168 Hours)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)2.4V~3.6VBOTTOM26013.3V0.75mm1048不合格3.6V2.5/3.3V2.4V2Mb 128K x 16160mASRAMParallel3-STATE1612ns17b2 MbCOMMONAsynchronous16b2V8mmROHS3 Compliant----
- IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA8 Weeks表面贴装48-TFBGA-48Volatile-40°C~85°C TATraye1yes活跃2 (1 Year)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)2.5V~3.6VBOTTOM26013V0.75mm4048-3.6V-2.5V2Mb 128K x 1613mASRAMParallel3-STATE1655ns17b2 MbCOMMONAsynchronous16b1V8mmROHS3 Compliant表面贴装3.3V55 ns无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV12816BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
| IS62WV12816BLL-55B2LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
![]() | 71V416L15BEI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TFBGA | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 15ns 48-Pin CABGA Tube/Tray | 对比 |



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