IS64WV25616EDBLL-10BLA3备选型号: 71V416L15BEG
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- 输出特性
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- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 底架
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 电源电流
- 访问时间
- 同步/异步
- 字长
- 宽度
- 器件厚度
- 无铅
- SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA10 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile-40°C~125°C TATray活跃3 (168 Hours)482.4V~3.6VBOTTOM13V0.75mm483.6V2.5/3.3V2.4V4Mb 256K x 161SRAMParallel3-STATE1610ns18b4 MbCOMMON2V8mm无ROHS3 Compliant---------------------
- SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 15ns 48-Pin CABGA Tube/Tray12 Weeks-TFBGA-48RAM, SDR, SRAM - Asynchronous--活跃3 (168 Hours)48-BOTTOM13.3V0.75mm48---512kB1--3-STATE--18b4 MbCOMMON3V9mm无符合RoHS标准表面贴装2012e1yesTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)70°C0°CBALL2603.3VINDUSTRIALParallel3.6V3V160mA15 nsAsynchronous16b9mm1.2mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV25616BLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
| IS61LV25616AL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA | 对比 | |
![]() | 71V416L15BEG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TFBGA | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 15ns 48-Pin CABGA Tube/Tray | 对比 |



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