IS64WV2568EDBLL-10BLA3备选型号: IS62WV5128BLL-55BLI
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- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 筛选水平
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
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- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 无铅代码
- 端口的数量
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 辐射硬化
- SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC10 Weeks表面贴装36-TFBGAYES36Volatile-40°C~125°C TATraye1活跃3 (168 Hours)363A991.B.2.A锡银铜流水线结构8542.32.00.413.3VBOTTOM26010.75mm10不合格2.5/3.3V2Mb 256K x 8SRAMParallel256KX83-STATE810ns0.015A2097152 bitAEC-Q10010 nsCOMMON2V3.6V2.4V8mm1.2mm6mmROHS3 Compliant---------
- IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA8 Weeks表面贴装36-TFBGA-36Volatile-40°C~85°C TATraye1活跃2 (1 Year)36-Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)--3.3VBOTTOM26010.75mm40--4Mb 512K x 8SRAMParallel-3-STATE855ns---55 nsCOMMON-3.6V2.5V8mm--ROHS3 Compliant表面贴装45mAyes119b4 MbAsynchronous8b无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV5128BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 36-TFBGA | IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA | 对比 | |
| IS63LV1024L-12BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 36-TFBGA | IC SRAM 1M PARALLEL 36MINIBGA | 对比 | |
| IS61WV5128BLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 36-TFBGA | IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA | 对比 |


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