ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV2568EDBLL-10BLA3
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IS64WV2568EDBLL-10BLA3
1266-IS64WV2568EDBLL-10BLA3
存储器
36-TFBGA
大陆
立即发货

SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
1最小包装量--
IS64WV2568EDBLL-10BLA3详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV2568EDBLL-10BLA3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
36-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
36
Memory Types
Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
36
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
锡银铜
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
资历状况
不合格
电源
2.5/3.3V
内存大小
2Mb 256K x 8
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
待机电流-最大值
0.015A
记忆密度
2097152 bit
筛选水平
AEC-Q100
访问时间(最大)
10 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2V
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
2.4V
长度
8mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS64WV2568EDBLL-10BLA3拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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