IS66WV1M16EBLL-55BLI备选型号: IS61WV25616BLL-10BLI
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- 工厂交货时间
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- 表面安装
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 操作模式
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 电源
- 端口的数量
- 电源电流
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 高度
- 辐射硬化
- IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA10 Weeks表面贴装48-TFBGAYESVolatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)482.5V~3.6VBOTTOM未说明13V0.75mm未说明R-PBGA-B483.6V2.5V16Mb 1M x 16ASYNCHRONOUSPSRAMParallel1MX161655ns16777216 bit55 ns8mm1.2mm6mmROHS3 Compliant------------------
- IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA8 Weeks表面贴装48-TFBGAYESVolatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)482.4V~3.6VBOTTOM26013.3V0.75mm40-3.6V2.4V4Mb 256K x 16-SRAMParallel--10ns--8.1mm-6.1mmROHS3 Compliant48e1yesTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)482.5/3.3V145mA3-STATE18b4 Mb0.009ACOMMONAsynchronous16b2V900μm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT47H64M8SH-25E:H | Micron Technology Inc. | 存储器 | 60-TFBGA | IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA | 对比 |
| IS61WV25616BLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
| IS62WV12816BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 |



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