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首页 全部分类 IS66WV51216EBLL-55BLI vs IS42S16160J-6BLI

IS66WV51216EBLL-55BLI备选型号: IS42S16160J-6BLI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 记忆密度
  • 访问时间（最大）
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端口的数量
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS66WV51216EBLL-55BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC PSRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    3V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.75mm
    未说明
    R-PBGA-B48
    8Mb 512K x 16
    ASYNCHRONOUS
    PSRAM
    Parallel
    512KX16
    16
    55ns
    8388608 bit
    55 ns
    3.6V
    2.5V
    8mm
    1.2mm
    6mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS42S16160J-6BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
    表面贴装
    54-TFBGA
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    54
    3.3V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.8mm
    未说明
    S-PBGA-B54
    256Mb 16M x 16
    SYNCHRONOUS
    DRAM
    Parallel
    16MX16
    16
    -
    268435456 bit
    -
    3.6V
    3V
    8mm
    1.2mm
    8mm
    ROHS3 Compliant
    6 Weeks
    e1
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
    1
    166MHz
    5.4ns
  • 添加型号
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