IS66WV51216EBLL-55BLI备选型号: MT47H64M16NF-25E:M
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 内存大小
- 操作模式
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 引脚数
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 基本部件号
- 端口的数量
- 时钟频率
- 访问时间
- 数据总线宽度
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 高度
- 辐射硬化
- IC PSRAM 8M PARALLEL 48TFBGA表面贴装48-TFBGAYESVolatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)483VBOTTOM未说明10.75mm未说明R-PBGA-B488Mb 512K x 16ASYNCHRONOUSPSRAMParallel512KX161655ns8388608 bit55 ns3.6V2.5V8mm1.2mm6mmROHS3 Compliant-------------------------
- IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA表面贴装84-TFBGA-Volatile0°C~85°C TCTray活跃3 (168 Hours)841.8VBOTTOM26010.8mm30-1Gb 64M x 16-DRAMParallel64MX161615ns--1.9V1.7V12.5mm--ROHS3 Compliant16 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装842013e1yesEAR99Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)自我更新8542.32.00.32MT47H64M161400MHz400ps16b3-STATE16b1 GbCOMMON819248481.2mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16400J-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS62WV12816BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
![]() | MT47H64M16NF-25E:M | Micron Technology Inc. | 存储器 | 84-TFBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA | 对比 |



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