IS66WV51216EBLL-55BLI备选型号: MT47H64M16NF-25E:M

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 记忆密度
  • 访问时间(最大)
  • 电压 - 供电 (最大值)
  • 电压 - 供电 (最小值)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 端口的数量
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 数据总线宽度
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC PSRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    3V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.75mm
    未说明
    R-PBGA-B48
    8Mb 512K x 16
    ASYNCHRONOUS
    PSRAM
    Parallel
    512KX16
    16
    55ns
    8388608 bit
    55 ns
    3.6V
    2.5V
    8mm
    1.2mm
    6mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
    表面贴装
    84-TFBGA
    -
    Volatile
    0°C~85°C TC
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    1.8V
    BOTTOM
    260
    1
    0.8mm
    30
    -
    1Gb 64M x 16
    -
    DRAM
    Parallel
    64MX16
    16
    15ns
    -
    -
    1.9V
    1.7V
    12.5mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    84
    2013
    e1
    yes
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
    自我更新
    8542.32.00.32
    MT47H64M16
    1
    400MHz
    400ps
    16b
    3-STATE
    16b
    1 Gb
    COMMON
    8192
    48
    48
    1.2mm
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