IS66WVC2M16EALL-7010BLI备选型号: CY62147EV30LL-45BVXI
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- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC PSRAM 32M PARALLEL 54VFBGA10 Weeks表面贴装54-VFBGAYES54Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)543A991.B.2.A1.7V~1.95VBOTTOM未说明10.75mm未说明1.95V1.7V32Mb 2M x 16SYNCHRONOUSPSRAMParallel2MX161670ns70 ns8mm1mm6mmROHS3 Compliant-----------------------
- IC, SRAM, 4MBIT, PARALLEL, 45NS, BGA-486 Weeks表面贴装48-VFBGA-48Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)48-2.2V~3.6VBOTTOM26010.75mm303.6V2.2V4Mb 256K x 16-SRAMParallel-1645ns45 ns8mm--ROHS3 Compliant表面贴装MoBL®2001e1yesTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)3V45GHzCY62147483V120mA3-STATE18b4 Mb0.000007ACOMMONAsynchronous16b无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-7BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS45S16800F-6BLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 128M (8Mx16) 166MHz SDR SDRAM 3.3v | 对比 | |
| CY62147EV30LL-45BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-VFBGA | IC, SRAM, 4MBIT, PARALLEL, 45NS, BGA-48 | 对比 |



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