IS66WVC2M16EALL-7010BLI备选型号: IS45S16800F-6BLA1
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- 工厂交货时间
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 操作模式
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
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- 写入周期时间 - 字符、页面
- 访问时间(最大)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电源电压
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 端口的数量
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 数据总线宽度
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- IC PSRAM 32M PARALLEL 54VFBGA10 Weeks表面贴装54-VFBGAYES54Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)543A991.B.2.A1.7V~1.95VBOTTOM未说明10.75mm未说明1.95V1.7V32Mb 2M x 16SYNCHRONOUSPSRAMParallel2MX161670ns70 ns8mm1mm6mmROHS3 Compliant---------------------
- DRAM 128M (8Mx16) 166MHz SDR SDRAM 3.3v8 Weeks表面贴装54-TFBGA-54Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)54EAR993V~3.6VBOTTOM-10.8mm-3.6V3V128Mb 8M x 16SYNCHRONOUSDRAMParallel8MX1616--8mm1.2mm-ROHS3 Compliant表面贴装e1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH3.3V54不合格3.3V1120mA166MHz5.4ns16b3-STATE14b128 Mb0.002ACOMMON40961248FP1248
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-7BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS45S16800F-6BLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 128M (8Mx16) 166MHz SDR SDRAM 3.3v | 对比 | |
| CY62147EV30LL-45BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-VFBGA | IC, SRAM, 4MBIT, PARALLEL, 45NS, BGA-48 | 对比 |



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