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首页 全部分类 IS66WVE4M16EBLL-70BLI vs M28W640HCB70ZB6E

IS66WVE4M16EBLL-70BLI备选型号: M28W640HCB70ZB6E

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  • 引导模块
  • 通用闪存接口
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS66WVE4M16EBLL-70BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    0.75mm
    10
    3.6V
    2.7V
    64Mb 4M x 16
    1
    ASYNCHRONOUS
    PSRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    70ns
    22b
    64 Mb
    70 ns
    COMMON
    2.7V
    NO
    NO
    8mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    M28W640HCB70ZB6E
    Micron Technology Inc.
    NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 4M x 16bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray
    -
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    48
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    48
    锡银铜
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    0.75mm
    30
    -
    -
    64Mb 4M x 16
    -
    -
    FLASH
    Parallel
    -
    16
    70ns
    22b
    64 Mb
    70 ns
    -
    -
    -
    -
    10.5mm
    ROHS3 Compliant
    2008
    yes
    3A991.B.1.A
    底部启动区块
    8542.32.00.51
    3V
    M28W640
    48
    3/3.3V
    2.7V
    18mA
    4MX16
    0.000005A
    Asynchronous
    16b
    NO
    NO
    YES
    8127
    4K32K
    4words
    BOTTOM
    YES
    1.2mm
    无
  • 添加型号
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