ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16EBLL-70BLI

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

48

Memory Types

Volatile

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 供电

2.7V~3.6V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.75mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

2.7V

内存大小

64Mb 4M x 16

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

内存格式

PSRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

70ns

地址总线宽度

22b

密度

64 Mb

访问时间（最大）

70 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

2.7V

输出启用

NO

反向引脚排列

NO

长度

8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant