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首页 全部分类 ISL9V3036D3ST vs NGD8205NT4G

ISL9V3036D3ST备选型号: NGD8205NT4G

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    ISL9V3036D3ST
    ON Semiconductor
    IGBT 360V 21A 150W TO252AA
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    360V
    -40°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    EcoSPARK®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    360V
    150W
    21A
    ISL9V3036
    Single
    150W
    Logic
    1.6V
    21A
    1.6V @ 4V, 6A
    17nC
    -/4.8μs
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGD8205NT4G
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    390V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    350V
    125W
    20A
    NGD8205N
    Single
    125W
    Logic
    390V
    20A
    1.9V @ 4.5V, 20A
    -
    -/5μs
    符合RoHS标准
    无铅
    52 Weeks
    SILICON
    2006
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    260
    40
    3
    R-PSSO-G2
    8000ns
    COLLECTOR
    汽车点火装置
    N-CHANNEL
    390V
    6500 ns
    18500 ns
    50A
    15V
    2.1V
    14000ns
    无
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