ON Semiconductor FGD3040G2
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FGD3040G2
1807-FGD3040G2
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 400V 41A 150W DPAK
--最小包装量--
FGD3040G2详情
ON Semiconductor FGD3040G2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Current-Collector (Ic) (Max)
41A
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
Test Conditions
300V, 6.5A, 1k Ω, 5V
包装
Tape & Reel (TR)
系列
EcoSPARK®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
150W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
FGD3040
JESD-30代码
R-PSSO-G2
上升时间-最大值
7000ns
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
晶体管应用
汽车点火装置
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.25V
最大集电极电流
23.2A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.25V @ 4V, 6A
闸门收费
21nC
Td(开/关)@25°C
-/4.8μs
栅极-发射极电压-最大值
14V
栅极-发射极Thr电压-最大值
2.2V
最大下降时间 (tf)
15000ns
RoHS状态
符合RoHS标准
FGD3040G2拓展信息
ON Semiconductor
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