ISL9V5045S3ST备选型号: STGB30H60DLFB
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 箝位电压
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- Td(开/关)@25°C
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- IGBT类型
- 集极脉冲电流(Icm)
- 开关能量
- IGBT 480V 51A 300W D2PAK4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON480V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)EcoSPARK®2014e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95300W鸥翼ISL9V5045R-PSSO-G27000nsSingleCOLLECTORLogic300W450V汽车点火装置N-CHANNEL1.6V51A480V2800 ns1.6V @ 4V, 10A13600 ns32nC-/10.8μs12V2.2V4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅------
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB---600V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)----活跃1 (Unlimited)-EAR99--260W-STGB30----Standard260W--N-CHANNEL2V60A600V-2V @ 15V, 30A-149nC-/146ns20V7V----ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)未说明未说明沟渠现场停车120A393μJ (off)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGB20N60SFD-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 208W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB | 对比 |
![]() | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |





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