Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

60A

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 10.5 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchStop®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

GB30N60

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

187W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

接通时间

40 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

262 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

165nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

18ns/207ns

开关能量

1.17mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant