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IXA12IF1200HB备选型号: IXA17IF1200HJ
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- 晶体管应用
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- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
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- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 开关能量
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
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IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200HB IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins22 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV1.8V-40°C~150°C TJTube2001e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99锡银铜85W未说明未说明3不合格Single85WStandard电源控制N-CHANNEL1.2kV20A350nsTO-247AD1200V110 ns2.1V @ 15V, 10A350 nsPT27nC1.1mJ (on), 1.1mJ (off)20V6.5V21.46mm16.26mm5.3mm无SVHCROHS3 Compliant-
IXYS SEMICONDUCTOR IXA17IF1200HJ IGBT Single Transistor, 28 A, 2.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins28 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV1.8V-40°C~150°C TJTube2010e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99锡银铜100W未说明未说明3不合格Single100WStandard电源控制N-CHANNEL2.1V28A350 nsTO-247AD1200V110 ns2.1V @ 15V, 15A350 nsPT47nC1.55mJ (on), 1.7mJ (off)20V6.5V21.34mm16.13mm5.21mm无SVHCROHS3 CompliantISOLATED- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXA33IF1200HB | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins | 对比 |
 | IRG4PH30KPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 20A 100W TO247AC | 对比 |
| IXA17IF1200HJ | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA17IF1200HJ IGBT Single Transistor, 28 A, 2.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins | 对比 |
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