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首页 全部分类 IXA45IF1200HB vs IRG7PH42UPBF

IXA45IF1200HB备选型号: IRG7PH42UPBF

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 质量
  • 上升时间-最大值
  • 接通延迟时间
  • Td（开/关）@25°C
  • 最大下降时间 (tf)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXA45IF1200HB
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA45IF1200HB IGBT Single Transistor, 78 A, 2.1 V, 325 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    1.8V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2001
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    325W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    325W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    78A
    350ns
    TO-247AD
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 35A
    350 ns
    PT
    106nC
    3.8mJ (on), 4.1mJ (off)
    20V
    6.5V
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH42UPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 90A 385W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    1.7V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2005
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    385W
    -
    -
    -
    -
    Single
    385W
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2V
    90A
    -
    -
    1200V
    -
    2V @ 15V, 30A
    -
    Trench
    157nC
    2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
    -
    6V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    38.000013g
    41ns
    25 ns
    25ns/229ns
    86ns
    无
    无铅
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