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首页 全部分类 IXBF40N160 vs IXA17IF1200HJ

IXBF40N160备选型号: IXA17IF1200HJ

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • IGBT类型
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXBF40N160
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.6KV 28A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    i4-Pac™-5 (3 Leads)
    3
    SILICON
    1.6kV
    6.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH RELIABILITY, FAST SWITCHING
    250W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    250W
    ISOLATED
    Standard
    200 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.6kV
    28A
    1600V
    260 ns
    7.1V @ 15V, 20A
    340 ns
    130nC
    20V
    8V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXA17IF1200HJ
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA17IF1200HJ IGBT Single Transistor, 28 A, 2.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    1.8V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    -
    100W
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    100W
    ISOLATED
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.1V
    28A
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 15A
    350 ns
    47nC
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    EAR99
    350 ns
    TO-247AD
    PT
    1.55mJ (on), 1.7mJ (off)
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
    无SVHC
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