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IXBF40N160备选型号: IXYH20N120C3D1
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
Trans IGBT Chip N-CH 1.6KV 28A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC32 Weeks通孔通孔i4-Pac™-5 (3 Leads)3SILICON1.6kV6.2V-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2006e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)HIGH RELIABILITY, FAST SWITCHING250W未说明未说明3不合格Single250WISOLATEDStandard200 ns电源控制N-CHANNEL1.6kV28A1600V260 ns7.1V @ 15V, 20A340 ns130nC20V8VROHS3 Compliant无铅----------
IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT28 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON1.2kV4V-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2013--活跃1 (Unlimited)3--230W----Single230WCOLLECTORStandard-电源控制N-CHANNEL1.2kV36A1200V60 ns3.4V @ 15V, 20A220 ns53nC20V5VROHS3 Compliant-EAR99IXY*20N120195nsTO-247AD88A20ns/90ns1.3mJ (on), 500μJ (off)21.46mm16.26mm5.3mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXYH20N120C3D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT | 对比 |
| IXBH40N160 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1600V 33A 350W TO247AD | 对比 |
 | IXA17IF1200HJ | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA17IF1200HJ IGBT Single Transistor, 28 A, 2.1 V, 100 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins | 对比 |
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