IXBF42N300备选型号: IXBF20N360

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • Reach合规守则
  • 开关能量
  • IXYS
    IGBT 3000V TO247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    i4-Pac™-4, Isolated
    SILICON
    3kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    240W
    SINGLE
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    Standard
    240W
    电源控制
    N-CHANNEL
    3V
    60A
    1.7 μs
    3000V
    652 ns
    3V @ 15V, 42A
    950 ns
    200nC
    380A
    72ns/445ns
    25V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • IXYS
    IGBT Transistors 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    i4-Pac™-5
    -
    3.6kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    230W
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    230W
    -
    -
    3.4V
    45A
    1.7 μs
    3600V
    -
    3.4V @ 15V, 20A
    -
    43nC
    220A
    18ns/238ns
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    unknown
    15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
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