IXYS IXBF42N300

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-4, Isolated

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

3kV

Number of Elements

1

Test Conditions

1500V, 42A, 20 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

BIMOSFET™

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

240W

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输入类型

Standard

功率 - 最大

240W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

1.7 μs

电压 - 集射极击穿（最大值）

3000V

接通时间

652 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 42A

关断时间-标准值（toff)

950 ns

闸门收费

200nC

集极脉冲电流（Icm）

380A

Td（开/关）@25°C

72ns/445ns

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant