IXBF20N360详情
IXYS IXBF20N360重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
28 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
i4-Pac™-5
Collector-Emitter Breakdown Voltage
3.6kV
Test Conditions
1500V, 20A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
BIMOSFET™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
230W
Reach合规守则
unknown
输入类型
Standard
功率 - 最大
230W
集电极发射器电压(VCEO)
3.4V
最大集电极电流
45A
反向恢复时间
1.7 μs
电压 - 集射极击穿(最大值)
3600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.4V @ 15V, 20A
闸门收费
43nC
集极脉冲电流(Icm)
220A
Td(开/关)@25°C
18ns/238ns
开关能量
15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXBF20N360拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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