IXBH24N170备选型号: IRGP30B120KD-EP
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- 端子表面处理
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- JESD-30代码
- 资历状况
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- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 上升时间
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- 集电极发射器电压(VCEO)
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- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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- 关断时间-标准值(toff)
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- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 接通延迟时间
- IGBT类型
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IGBT 1700V 60A 250W TO24728 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON1.7kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2006e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗250W未说明未说明3R-PSFM-T3不合格Single38WCOLLECTORStandard250W电源控制28nsN-CHANNEL26 ns2.5V60A1.06 μs3.2ATO-247AD30V1700V500V190 ns2.5V @ 15V, 24A1.4Ohm1285 ns140nC230A20V5VROHS3 Compliant----------------
- IGBT 1200V 60A 300W TO247AD14 Weeks通孔通孔TO-247-3-1.2kV-55°C~150°C TJTube-2004--最后一次购买1 (Unlimited)---300W-----Single300W-Standard300W-25ns--4V60A300 ns---1200V--4V @ 15V, 60A--169nC120A--ROHS3 Compliant3TO-247AD2.28V150°C-55°C1.2kV60A50 nsNPT1.07mJ (on), 1.49mJ (off)18.7mm15.6972mm5.1mm无SVHC无Contains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXBH42N170A | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 42A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD | 对比 |
![]() | IRGP30B120KD-EP | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 60A 300W TO247AD | 对比 |
![]() | IXGH32N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IXGH Series 1700 Vce 75 A 45 ns t(on) High Speed IGBT - TO-247AD | 对比 |




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