IXYS IXBH24N170

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7kV

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

BIMOSFET™

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

250W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

38W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

250W

晶体管应用

电源控制

上升时间

28ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

26 ns

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

1.06 μs

连续放电电流(ID)

3.2A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

30V

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700V

漏源击穿电压

500V

接通时间

190 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 24A

漏源电阻

1.4Ohm

关断时间-标准值（toff)

1285 ns

闸门收费

140nC

集极脉冲电流（Icm）

230A

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant