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首页 全部分类 IXBH40N160 vs IXGH32N170A

IXBH40N160备选型号: IXGH32N170A

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  • VCEsat-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 基本部件号
  • IGBT类型
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • IXYS
    IXBH40N160
    IXYS
    IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.6kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    BIMOSFET™
    2006
    yes
    活跃
    不适用
    3
    BIPOLAR MOS TRANSISTOR WITH COLLECTOR-EMITTER ON RESISTANCE OF 0.24 OHMS
    1.6kV
    350W
    33A
    3
    Single
    350W
    COLLECTOR
    Standard
    MOTOR CONTROL
    60ns
    N-CHANNEL
    1.6kV
    33A
    TO-247AD
    1600V
    260 ns
    7.1V @ 15V, 20A
    310 ns
    130nC
    40A
    20V
    6 V
    6V
    700ns
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGH32N170A
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 32A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    -
    2004
    yes
    活跃
    不适用
    3
    -
    1.7kV
    350W
    75A
    3
    Single
    350W
    COLLECTOR
    Standard
    MOTOR CONTROL
    57ns
    N-CHANNEL
    1.7kV
    32A
    TO-247AD
    1700V
    107 ns
    5V @ 15V, 21A
    370 ns
    155nC
    110A
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4V
    IXG*32N170
    NPT
    46ns/260ns
    1.5mJ (off)
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