IXBH40N160备选型号: IXYH20N120C3

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.6kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    BIMOSFET™
    2006
    yes
    活跃
    不适用
    3
    BIPOLAR MOS TRANSISTOR WITH COLLECTOR-EMITTER ON RESISTANCE OF 0.24 OHMS
    1.6kV
    350W
    33A
    3
    Single
    350W
    COLLECTOR
    Standard
    MOTOR CONTROL
    60ns
    N-CHANNEL
    1.6kV
    33A
    TO-247AD
    1600V
    260 ns
    7.1V @ 15V, 20A
    310 ns
    130nC
    40A
    20V
    6 V
    6V
    700ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IGBT Transistors GenX3 1200V XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    -
    278W
    -
    -
    Single
    278W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    40A
    TO-247AD
    1200V
    60 ns
    3.4V @ 15V, 20A
    220 ns
    53nC
    96A
    20V
    -
    5V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    4V
    EAR99
    8541.90.00.00
    未说明
    not_compliant
    未说明
    IXY*20N120
    20ns/90ns
    1.3mJ (on), 500μJ (off)
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
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