IXBK55N300备选型号: IXBK75N170
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- Trans IGBT Chip N-CH 3KV 130A 3-Pin(3 Tab) TO-26428 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON3kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗625W3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard625W电源控制N-CHANNEL3.2V130A1.9 μs3000V637 ns3.2V @ 15V, 55A475 ns335nC600A25V5V无ROHS3 Compliant无铅----
- IGBT 1700V 200A 1040W TO26428 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON1.7kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2003e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)-1.04kW3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard1040W电源控制N-CHANNEL3.1V200A1.5 μs1700V277 ns3.1V @ 15V, 75A840 ns350nC580A20V5.5V-ROHS3 Compliant-未说明未说明IXB*75N170不合格
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXBK75N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1700V 200A 1040W TO264 | 对比 |
| SGL160N60UFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SGL160N60UFDTU.IGBT Single Transistor, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 Pins | 对比 | |
| SGL50N60RUFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 80A 250W TO264 | 对比 |



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