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首页 全部分类 IXBK75N170A vs IXYB82N120C3H1

IXBK75N170A备选型号: IXYB82N120C3H1

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • IXYS
    IXBK75N170A
    IXYS
    IGBT 1700V 110A 1040W TO264
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2003
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    1.04kW
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    IXB*75N170
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    1040W
    电源控制
    N-CHANNEL
    6V
    110A
    360 ns
    1700V
    65 ns
    6V @ 15V, 42A
    595 ns
    358nC
    300A
    26ns/418ns
    3.8mJ (off)
    20V
    5.5V
    110ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYB82N120C3H1
    IXYS
    IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    1.04kW
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    R-PSIP-T3
    -
    -
    COLLECTOR
    Standard
    1040W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    164A
    420 ns
    1200V
    119 ns
    3.2V @ 15V, 82A
    295 ns
    215nC
    320A
    29ns/192ns
    4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
    20V
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    264
    2.75V
    EAR99
    雪崩 额定
    Single
    1.04kW
    29 ns
    26.59mm
    20.29mm
    5.31mm
    无铅
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