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首页 全部分类 IXBT20N300HV vs IXBT12N300

IXBT20N300HV备选型号: IXBT12N300

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IXYS
    IXBT20N300HV
    IXYS
    IGBT 3000V 50A 250W TO268
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    3kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2013
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    250W
    not_compliant
    Standard
    250W
    N-CHANNEL
    3.2V
    50A
    1.35 μs
    3000V
    3.2V @ 15V, 20A
    105nC
    140A
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXBT12N300
    IXYS
    IGBT 3000V 30A 160W TO268
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    3kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2012
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    160W
    not_compliant
    Standard
    160W
    N-CHANNEL
    3.2V
    30A
    1.4 μs
    3000V
    3.2V @ 15V, 12A
    62nC
    100A
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    yes
    2
    低导通损耗
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    电源控制
    460 ns
    705 ns
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