您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXBT20N300HV vs IXBT12N300HV

IXBT20N300HV备选型号: IXBT12N300HV

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • Td（开/关）@25°C
  • IXYS
    IXBT20N300HV
    IXYS
    IGBT 3000V 50A 250W TO268
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    3kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2013
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    250W
    not_compliant
    Standard
    250W
    N-CHANNEL
    3.2V
    50A
    1.35 μs
    3000V
    3.2V @ 15V, 20A
    105nC
    140A
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
  • IXYS
    IXBT12N300HV
    IXYS
    IGBT 3000V 30A 160W TO268
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    3kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    160W
    unknown
    Standard
    160W
    N-CHANNEL
    3.2V
    30A
    1.4 μs
    3000V
    3.2V @ 15V, 12A
    62nC
    100A
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    64ns/180ns
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APT25GN120SG APT25GN120SG Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 单个 TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2 Tab) D3PAK 对比
IXBT12N300 IXBT12N300 IXYS 晶体管 - IGBT - 单个 TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA IGBT 3000V 30A 160W TO268 对比
IXBT42N300HV IXBT42N300HV IXYS 晶体管 - IGBT - 单个 TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA IGBT 3000V 42A 357W TO268 对比