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首页 全部分类 IXBX75N170 vs NGTB40N120FL3WG

IXBX75N170备选型号: NGTB40N120FL3WG

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • IGBT类型
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXBX75N170
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 200A 3-Pin(3 Tab) PLUS 247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    1.04kW
    IXB*75N170
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    1040W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    200A
    1.5 μs
    1700V
    277 ns
    3.1V @ 15V, 75A
    840 ns
    350nC
    580A
    20V
    5.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB40N120FL3WG
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 160A TO247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2013
    e3
    yes
    活跃
    不适用
    -
    Tin (Sn)
    454W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    454W
    -
    -
    2.3V
    160A
    136 ns
    1200V
    -
    2.3V @ 15V, 40A
    -
    212nC
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1.7V
    未说明
    未说明
    沟渠现场停车
    18ns/145ns
    1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
    无SVHC
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