IXYS IXBH42N170

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7kV

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

365 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

BIMOSFET™

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

1.7kV

最大功率耗散

360W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

75A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXB*42N170

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

360W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

45 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

35ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.7kV

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

1.32μs

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700V

接通时间

224 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 42A

关断时间-标准值（toff)

1070 ns

闸门收费

188nC

集极脉冲电流（Icm）

300A

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

高度

21.46mm

长度

16.26mm

宽度

5.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅