IXYS IXBX75N170

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7kV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

BIMOSFET™

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

1.04kW

基本部件号

IXB*75N170

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

1040W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.7kV

最大集电极电流

200A

反向恢复时间

1.5 μs

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700V

接通时间

277 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.1V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

840 ns

闸门收费

350nC

集极脉冲电流（Icm）

580A

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅