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首页 全部分类 IXBX75N170A vs IXBH10N170

IXBX75N170A备选型号: IXBH10N170

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 元素配置
  • JEDEC-95代码
  • IXYS
    IXBX75N170A
    IXYS
    IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
    30 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    1
    BIMOSFET™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    1.04kW
    SINGLE
    未说明
    未说明
    IXB*75N170
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    1040W
    电源控制
    N-CHANNEL
    6V
    110A
    360 ns
    1700V
    65 ns
    6V @ 15V, 42A
    595 ns
    358nC
    300A
    26ns/418ns
    3.8mJ (off)
    20V
    5.5V
    110ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXBH10N170
    IXYS
    IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
    28 Weeks
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    1.7kV
    BIMOSFET™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    140W
    -
    未说明
    未说明
    -
    3
    -
    不合格
    -
    COLLECTOR
    Standard
    140W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    20A
    360 ns
    1700V
    63 ns
    3.8V @ 15V, 10A
    1800 ns
    30nC
    40A
    35ns/500ns
    6mJ (off)
    20V
    5V
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    6.500007g
    2.3V
    Single
    TO-247AD
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