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IXFA10N80P备选型号: FQB5N90TM
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- Reach合规守则
- 额定电流
- JESD-30代码
- 接通延迟时间
- 高度
- 长度
- 宽度
IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA10N80P - MOSFET, N, TO-26330 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON10A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, PolarHT™2006e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING1.1 Ω @ 5A, 10V5.5V @ 2.5mA2050pF @ 25V40nC @ 10V22ns±30V22 ns10A5.5V30V800V600 mJ无SVHCROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK7 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON5.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®-e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼未说明未说明-不合格Single增强型MOSFET3.13WDRAINN-ChannelSWITCHING2.3 Ω @ 2.7A, 10V5V @ 250μA1550pF @ 25V40nC @ 10V65ns±30V50 ns5.4A3V30V900V660 mJ无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)Tin1.31247g2.3Ohm900Vnot_compliant5.4AR-PSSO-G228 ns4.83mm10.67mm9.65mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB5N90TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK | 对比 |
 | IPB65R420CFDATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 700V 8.7A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB60R299CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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