Infineon Technologies IPB65R420CFDATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83.3W Tc

Turn Off Delay Time

38 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83.3W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 340μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

8.7A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

漏极-源极导通最大电阻

0.42Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

27A

雪崩能量等级（Eas）

227 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅