我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IXFA76N15T2备选型号: IRFS4228PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 150V 76A TO26330 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON76A Tc-55°C~175°C TJTubeHiPerFET™, TrenchT2™2015e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明3R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING20m Ω @ 38A, 10V4.5V @ 250μA5800pF @ 25V97nC @ 10V150V±20V76ATO-263AA0.02Ohm200A150V500 mJROHS3 Compliant-------------------
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK-Surface Mount, Through Hole表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-83A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2007--Obsolete1 (Unlimited)---------------N-Channel-15mOhm @ 33A, 10V5V @ 250μA4530pF @ 25V107nC @ 10V150V±30V83A-----符合RoHS标准3D2PAK175°C-40°C150V83ASingle330W18 ns30V150V4.53nF15mOhm15 mΩ9.65mm10.668mm4.826mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB530N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 | 对比 |
| IRFS41N15DTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。