Infineon Technologies IRFS4228PBF

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

83A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

330W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

150V

额定电流

83A

元素配置

Single

功率耗散

330W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

15mOhm @ 33A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

107nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

83A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

150V

输入电容

4.53nF

漏源电阻

15mOhm

最大rds

15 mΩ

高度

9.65mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅