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首页 全部分类 IXFE48N50QD3 vs HGT1N30N60A4D

IXFE48N50QD3备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • RoHS状态
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 配置
  • 输入
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  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 无铅
  • IXYS
    IXFE48N50QD3
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
    底座安装
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    41A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2004
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    雪崩 额定
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    4
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    400W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 24A, 10V
    4V @ 4mA
    8000pF @ 25V
    190nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    10 ns
    41A
    20V
    0.11Ohm
    500V
    192A
    2500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    -
    600V
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    225W
    -
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    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    2.7V
    600V
    255W
    96A
    Single
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
    无铅
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HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比