STMicroelectronics ESM3030DV
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ESM3030DV
2381-ESM3030DV
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-227-4, miniBLOC
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TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
--最小包装量--
ESM3030DV详情
STMicroelectronics ESM3030DV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Panel, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8V
Number of Elements
1
hFEMin
300
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel (Ni)
电压 - 额定直流
300V
最大功率耗散
225W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
100A
基本部件号
ESM3030
引脚数量
4
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
225W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
100A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 85A 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 2.4A, 85A
发射极基极电压 (VEBO)
7V
VCEsat-最大值
2.2 V
最大下降时间 (tf)
600ns
高度
9.1mm
长度
38.2mm
宽度
25.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ESM3030DV拓展信息















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