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首页 全部分类 IXFH10N100P vs IRFP260NPBF

IXFH10N100P备选型号: IRFP260NPBF

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  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • RoHS状态
  • 引脚数
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  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXFH10N100P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 5A, 10V
    6.5V @ 1mA
    3030pF @ 25V
    56nC @ 10V
    1000V
    ±30V
    10A
    25A
    1000V
    500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP260NPBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs /-20V
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    2004
    e3
    -
    活跃
    3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    -
    250
    30
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 28A, 10V
    4V @ 250μA
    4057pF @ 25V
    234nC @ 10V
    -
    ±20V
    50A
    200A
    -
    560 mJ
    ROHS3 Compliant
    3
    1 (Unlimited)
    通孔
    EAR99
    40mOhm
    200V
    50A
    Single
    300W
    17 ns
    60ns
    48 ns
    4V
    TO-247AC
    20V
    200V
    200V
    402 ns
    4 V
    20.2946mm
    15.875mm
    5.3mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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