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IXFH10N100P备选型号: STW18N60M2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 漏极-源极导通最大电阻
- 无铅
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD30 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON10A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, PolarP2™2008e1yes活跃3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定SINGLE未说明未说明3R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 5A, 10V6.5V @ 1mA3030pF @ 25V56nC @ 10V1000V±30V10A25A1000V500 mJROHS3 Compliant------
MOSFET N-CH 600V 13A TO-24716 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON13A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II Plus---活跃3--SINGLE---R-PSFM-T3-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING280m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA791pF @ 100V21.5nC @ 10V600V±25V13A52A600V135 mJROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)EAR99STW18N0.28Ohm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW10N105K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1050V 6A TO-247 | 对比 |
| STW19NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
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