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首页 全部分类 IXFH12N100P vs IPW90R1K0C3FKSA1

IXFH12N100P备选型号: IPW90R1K0C3FKSA1

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  • 端子位置
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  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
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  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXFH12N100P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
    21 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    TO-247AD (IXFH)
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    463W
    N-Channel
    1.05Ohm @ 6A, 10V
    5V @ 1mA
    4080pF @ 25V
    80nC @ 10V
    25ns
    1000V
    ±30V
    36 ns
    12A
    30V
    1kV
    4.08nF
    1.05Ohm
    1.05 Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IPW90R1K0C3FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    89W
    N-Channel
    1 Ω @ 3.3A, 10V
    3.5V @ 370μA
    850pF @ 100V
    34nC @ 10V
    20ns
    -
    ±20V
    35 ns
    5.7A
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    70 ns
    SWITCHING
    TO-247AD
    900V
    1Ohm
    12A
    97 mJ
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