IXFH12N100P备选型号: STW12NK80Z

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
    21 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    TO-247AD (IXFH)
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    463W
    N-Channel
    1.05Ohm @ 6A, 10V
    5V @ 1mA
    4080pF @ 25V
    80nC @ 10V
    25ns
    1000V
    ±30V
    36 ns
    12A
    30V
    1kV
    4.08nF
    1.05Ohm
    1.05 Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    Transistor MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin (3 Tab) TO-247 Tube
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    10.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    190W
    N-Channel
    750m Ω @ 5.25A, 10V
    4.5V @ 100μA
    2620pF @ 25V
    87nC @ 10V
    18ns
    -
    ±30V
    20 ns
    10.5A
    30V
    800V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    4.535924g
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    750mOhm
    Tin (Sn)
    800V
    10.5A
    STW12N
    3
    增强型MOSFET
    30 ns
    SWITCHING
    3.75V
    TO-247AC
    42A
    400 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
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